MS32 是一款采用惠斯通桥结构的磁场传感器。 该传感器的四个电阻均采用坡莫合金制成，这种材料具有各向异性磁阻效应。与沿 y 轴的芯片（x-y 平面）平行的表面上存在一个单向磁场，将根据磁场提供输出信号。磁场开关点差不多与温度相互独立，通常设置为 Hs=1.85 kA/m。此外，宽磁场范围中的特征曲线呈线性。因此，新型 MS32 简化了传感器调整以适应不同的机械和磁场环境。传感器芯片采用 TDFN 封装。

特点

传感器基于固态磁阻效应

单极信号输出

线性磁场响应

高灵敏度，低磁滞

温度补偿开关点

高桥路电阻带来的低功耗

电源电压高达 30 V

小型 TDFN 封装

产品类型特性

产品类型  磁性开关传感器

电气特征

典型工作电压 (V) 5

典型平均电流 (mA) .5

使用环境

传感范围 (kA/m) 1.4 – 2.3

工组温度范围  -40 – 125 °C [ -40 – 257 °F ]

操作/应用

信号输出  无源模拟

典型信号振幅 (mV/V) 0

包装特性

封装  TDFN2.5x2.5