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超高精度微型位移传感器UM375交流输出LVDT高精度位置传感器
面议优利威UNIVO定制高精度位移传感器LVDT/高精度位置传感器
面议URV系列| URVDT旋转位置传感器
面议优利威 UHT-1000系列耐辐射LVDT位移传感器/耐高温位置传感器
面议美国MACRO旋转位置传感器GHSA750-125系列直线位移传感器
面议TE位置传感器/AMR 线性低磁场传感器
面议TE位置传感器/AMR 开关传感器MEAS MS32
面议TE位置角度传感器/OEM 旋转位置传感器 - RVIT-Z
面议TE位置角度传感器/直流 RVIT 旋转位置传感器MEAS R60D
面议TE位置传感器/旋转编码器 ED-18 系列
面议旋转编码器 ED-22 系列/TE位置传感器
面议分压器 MEAS PT1 拉绳位移电位器/TE位置传感器
面议KMT32B 磁性 AMR 角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量 45 度。 平行于芯片(x-y 平面)的表面上的旋转磁场将因此提供两种独立的正弦曲线输出信号,一种按照 cos(2) 函数计算,另一种按照 sin(2) 函数计算,在传感器和磁场方向之间形成角度(参见图 2)。KMT32B 磁场传感器适合在常规磁场强度 H0 ≥ 25 kA/m 的情况下(例如,在室温下距离为 5.2 mm 时,来自 Magnetfabrik Bonn 的磁体 67.044 生成的磁场强度)高精确角度测量应用。如降低精度,KMT32B AMR 角度传感器可用于磁场强度 H0 ≥ 14 kA/m 的情况(室温下;了解地磁场产生的影响!)。大多数磁体的磁场强度随温度改变,但磁场方向不变。
非接触式角度位移,非常适合在严苛环境下使用
设计优化的线性
高精度
低成本、低功耗
自我诊断
有吸引力的 SMD 封装
在信号估值范围内用户可控制
宽工作温度范围(-40~+150℃,160℃ 可定制)
RoHS 认证(无铅)
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