FF1200R17KE3_B2

FF1200R17KE3_B2FF1200R17KE3_B2

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2018-05-11 16:40:09
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深圳市安科半导体科技有限公司

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产品简介

FF1200R17KE3_B2,可控硅,infineon , eupec 。

详细介绍

infineon FF1200R17KE3_B2, eupec FF1200R17KE3_B2,图片

> H桥(4单元)

产品型号 参数说明 封装形式

F4-30R06W1E3 30A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B

F4-50R06W1E3 50A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B

F4-75R06W1E3 75A , 600V , IGBT3 EasyPACK 1B

 图片PDF中文资料,datasheet详细参数,中文参数,操作方案,进口*现货价格,产品库存状况。(如有需要 敬请“安科半导体”,可提供)

infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW系列:

高频600V硬开关频率fK≤150KHZ;

快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ;

低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ;

低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ;



600V系列IGBT模块,1200V系列IGBT模块,1600V系列IGBT模块,1700V系列IGBT模块,3300V系列IGBT模块 ,6500V系列IGBT模块:

DN2系列:频率范围10KHZ-20KHZ,饱和压降:2.5V-3.1V;

DN2系列:频率范围4KHZ-8KHZ,饱和压降:2.1V-2.4V;

KS4系列:频率范围15KHZ-30KHZ,饱和压降:3.2V-3.85V;

KE3系列:频率范围4KHZ-10KHZ,饱和压降:1.7V-2.0V;

KT3系列:频率范围8KHZ-15KHZ,饱和压降:1.7V-1.9V;


,可控硅,infineon , eupec 。

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