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所在地
| 封装 | Metal |
| 封装等级 | TO-8 |
| 制冷方式 | One-stage TE-cooled |
| 光谱响应范围 | 0.32 to 1.67 μm |
| 探测器（1） | Si |
| 光敏面尺寸 （1） | 2.4×2.4 mm |
| 峰值灵敏度波长（典型值）（1） | 0.94 μm |
| 灵敏度（典型值）（1） | 0.45 A/W |
| 探测器（2） | InGaAs |
| 光敏面尺寸 （2） | φ0.5 mm |
| 峰值灵敏度波长（典型值）（2） | 1.55 μm |
| 灵敏度（典型值）（2） | 0.55 A/W |
| 测量条件 | Typ., Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
